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Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +5.0V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is high-side injected for a 200MHz IF, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
55
50
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CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
55
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CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
40
T C = -30°C, +25°C, +85°C
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
35
30
35
30
35
30
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
-20
-25
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
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RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
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RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
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T C = -30°C
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P LO = +3dBm
-30
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T C = +25°C, +85°C
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P LO = -3dBm
-40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-45
-50
-45
-50
P LO = 0dBm
-45
-50
900
950
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1050
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1150
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1200
50
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40
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
T C = +85°C
50
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LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
50
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40
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
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T C = -30°C
T C = +25°C
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RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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